Продукція > ONSEMI > AFGHL50T65SQDC
AFGHL50T65SQDC

AFGHL50T65SQDC onsemi

afghl50t65sqdc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/94.4ns
Switching Energy: 131µJ (on), 96µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 238 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+828.17 грн
30+477.97 грн
120+407.92 грн
510+361.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGHL50T65SQDC onsemi

Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/94.4ns, Switching Energy: 131µJ (on), 96µJ (off), Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 94 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 238 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AFGHL50T65SQDC за ціною від 382.42 грн до 930.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFGHL50T65SQDC AFGHL50T65SQDC Виробник : onsemi AFGHL50T65SQDC-D.PDF IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+869.25 грн
10+506.23 грн
120+382.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDC AFGHL50T65SQDC Виробник : ONSEMI 2850016.pdf Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQDC - IGBT, 100 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+930.49 грн
5+750.53 грн
10+570.57 грн
50+506.06 грн
100+444.47 грн
250+422.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDC Виробник : ON Semiconductor afghl50t65sqdc-d.pdf
на замовлення 467 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDC AFGHL50T65SQDC Виробник : ON Semiconductor afghl50t65sqdc-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 238000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDC AFGHL50T65SQDC Виробник : ON Semiconductor afghl50t65sqdc-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 238W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDC AFGHL50T65SQDC Виробник : ON Semiconductor afghl50t65sqdc-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 238W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQDC Виробник : ONSEMI afghl50t65sqdc-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 119W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 94nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.