Продукція > ONSEMI > AFGHL50T65SQDC

AFGHL50T65SQDC ONSEMI

Name: AFGHL50T65SQDC
Brand: ONSEMI
SKU: 249080-6
Price: 974.84 UAH
Availability: InStock

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQDC - IGBT, 100 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	974.84 грн
5+	786.31 грн
10+	597.77 грн
50+	530.18 грн
100+	465.66 грн
250+	442.68 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис AFGHL50T65SQDC ONSEMI

Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/94.4ns, Switching Energy: 131µJ (on), 96µJ (off), Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 94 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 238 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AFGHL50T65SQDC

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
AFGHL50T65SQDC	Виробник : ON Semiconductor		на замовлення 467 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
AFGHL50T65SQDC	Виробник : ON Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 238000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AFGHL50T65SQDC	Виробник : ON Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 238W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AFGHL50T65SQDC	Виробник : ON Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 238W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AFGHL50T65SQDC	Виробник : onsemi	Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/94.4ns Switching Energy: 131µJ (on), 96µJ (off) Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 94 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 238 W Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AFGHL50T65SQDC	Виробник : onsemi	IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AFGHL50T65SQDC	Виробник : ONSEMI	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 119W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Type of transistor: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Power dissipation: 119W Pulsed collector current: 200A Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 94nC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.