AFGHL75T65SQ onsemi
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 371.53 грн | 
| 10+ | 267.22 грн | 
| 120+ | 187.42 грн | 
| 510+ | 179.04 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGHL75T65SQ onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/106ns, Switching Energy: 1.86mJ (on), 1.13mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 139 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 375 W, Qualification: AEC-Q101. 
Інші пропозиції AFGHL75T65SQ за ціною від 228.38 грн до 496.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
                      | 
        AFGHL75T65SQ | Виробник : ONSEMI | 
            
                         Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQ - IGBT, 75 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024)  | 
        
                             на замовлення 626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||
                      | 
        AFGHL75T65SQ | Виробник : onsemi | 
            
                         Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/106ns Switching Energy: 1.86mJ (on), 1.13mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 139 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 375 W Qualification: AEC-Q101  | 
        
                             на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||
| AFGHL75T65SQ | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                                  | 
        
                             на замовлення 380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | 
        ||||||||||||
| 
             | 
        AFGHL75T65SQ | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Rail         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||
                      | 
        AFGHL75T65SQ | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||
                      | 
        AFGHL75T65SQ | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||
| AFGHL75T65SQ | Виробник : ONSEMI | 
            
                         Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 188W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 139nC Kind of package: tube  | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        



