Продукція > ONSEMI > AFGHL75T65SQ
AFGHL75T65SQ

AFGHL75T65SQ onsemi

afghl75t65sq-d.pdf Виробник: onsemi
IGBTs IGBT - 650 V FS4 standalone IGBT IGBT - 650 V FS4 without Co-pack diode
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.34 грн
10+280.68 грн
120+202.38 грн
510+178.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGHL75T65SQ onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/106ns, Switching Energy: 1.86mJ (on), 1.13mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 139 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 375 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AFGHL75T65SQ за ціною від 225.02 грн до 494.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFGHL75T65SQ AFGHL75T65SQ Виробник : ONSEMI AFGHL75T65SQ-D.PDF Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQ - IGBT, 75 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+464.26 грн
10+424.30 грн
100+250.84 грн
500+225.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQ AFGHL75T65SQ Виробник : onsemi afghl75t65sq-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/106ns
Switching Energy: 1.86mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 139 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+494.42 грн
30+272.16 грн
120+227.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQ Виробник : ON Semiconductor afghl75t65sq-d.pdf
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQ AFGHL75T65SQ Виробник : ON Semiconductor afghl75t65sq-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQ AFGHL75T65SQ Виробник : ON Semiconductor afghl75t65sq-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQ AFGHL75T65SQ Виробник : ON Semiconductor afghl75t65sq-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQ Виробник : ONSEMI afghl75t65sq-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 139nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.