на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 554.47 грн |
| 10+ | 446.22 грн |
| 30+ | 319.14 грн |
| 120+ | 267.86 грн |
| 270+ | 251.02 грн |
| 510+ | 244.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGHL75T65SQD onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 36 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/106ns, Switching Energy: 1.86mJ (on), 1.13mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 136 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 375 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AFGHL75T65SQD за ціною від 224.87 грн до 581.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AFGHL75T65SQD | Виробник : onsemi |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 36 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/106ns Switching Energy: 1.86mJ (on), 1.13mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 136 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 375 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| AFGHL75T65SQD | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
AFGHL75T65SQD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
AFGHL75T65SQD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
AFGHL75T65SQD | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 80 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |