AFGHL75T65SQD onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/106ns
Switching Energy: 1.86mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 578.54 грн | 
| 30+ | 323.37 грн | 
| 120+ | 272.01 грн | 
| 510+ | 223.85 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGHL75T65SQD onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 36 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/106ns, Switching Energy: 1.86mJ (on), 1.13mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 136 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 375 W, Qualification: AEC-Q101. 
Інші пропозиції AFGHL75T65SQD за ціною від 233.13 грн до 609.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 
             | 
        AFGHL75T65SQD | Виробник : onsemi | 
            
                         IGBTs 650V/75A FS4 IGBT         | 
        
                             на замовлення 403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||
| AFGHL75T65SQD | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                                  | 
        
                             на замовлення 390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | 
        ||||||||||||
                      | 
        AFGHL75T65SQD | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||
                      | 
        AFGHL75T65SQD | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||
                      | 
        AFGHL75T65SQD | Виробник : ONSEMI | 
            
                         Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 80 SVHC: Lead (10-Jun-2022)  | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        

