
AFGHL75T65SQD onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/106ns
Switching Energy: 1.86mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 573.03 грн |
30+ | 320.29 грн |
120+ | 269.42 грн |
510+ | 221.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGHL75T65SQD onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 36 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/106ns, Switching Energy: 1.86mJ (on), 1.13mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 136 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 375 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AFGHL75T65SQD за ціною від 255.06 грн до 577.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AFGHL75T65SQD | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
AFGHL75T65SQD | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
AFGHL75T65SQD | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
AFGHL75T65SQD | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
AFGHL75T65SQD | Виробник : ONSEMI |
![]() Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 80 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |