Продукція > ONSEMI > AFGHL75T65SQDC
AFGHL75T65SQDC

AFGHL75T65SQDC onsemi

afghl75t65sqdc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/107.2ns
Switching Energy: 1.68mJ (on), 1.11mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 139 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+601.01 грн
30+395.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGHL75T65SQDC onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/107.2ns, Switching Energy: 1.68mJ (on), 1.11mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 139 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 375 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AFGHL75T65SQDC за ціною від 398.67 грн до 925.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFGHL75T65SQDC AFGHL75T65SQDC Виробник : onsemi afghl75t65sqdc-d.pdf IGBTs IGBT with SiC copack diode IGBT - Hybrid IGBT 650 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+863.08 грн
10+509.06 грн
120+404.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDC AFGHL75T65SQDC Виробник : ONSEMI AFGHL75T65SQDC-D.PDF Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQDC - IGBT, 75 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+925.12 грн
5+739.76 грн
10+553.54 грн
50+472.95 грн
100+417.62 грн
250+398.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDC Виробник : ON Semiconductor afghl75t65sqdc-d.pdf
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDC AFGHL75T65SQDC Виробник : ON Semiconductor afghl75t65sqdc-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDC AFGHL75T65SQDC Виробник : ON Semiconductor afghl75t65sqdc-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDC Виробник : ONSEMI afghl75t65sqdc-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 139nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.