Продукція > ONSEMI > AFGHL75T65SQDC
AFGHL75T65SQDC

AFGHL75T65SQDC onsemi

AFGHL75T65SQDC-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/107.2ns
Switching Energy: 1.68mJ (on), 1.11mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 139 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+793.59 грн
30+456.86 грн
120+389.53 грн
510+323.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGHL75T65SQDC onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/107.2ns, Switching Energy: 1.68mJ (on), 1.11mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 139 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 375 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AFGHL75T65SQDC

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AFGHL75T65SQDC AFGHL75T65SQDC ONSEMI AFGHL75T65SQDC-D.PDF Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQDC - IGBT, 75 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDC AFGHL75T65SQDC onsemi AFGHL75T65SQDC-D.PDF IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDC ON Semiconductor AFGHL75T65SQDC-D.PDF
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDC AFGHL75T65SQDC-D.PDF
AFGHL75T65SQDC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQDC - IGBT, 75 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDC AFGHL75T65SQDC-D.PDF
AFGHL75T65SQDC
Виробник: onsemi
IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDC AFGHL75T65SQDC-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.