Продукція > ONSEMI > AFGHL75T65SQDT
AFGHL75T65SQDT

AFGHL75T65SQDT onsemi

afghl75t65sqdt-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/106ns
Switching Energy: 2.12mJ (on), 1.14mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 973762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+554.31 грн
30+308.78 грн
120+259.31 грн
510+211.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGHL75T65SQDT onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/106ns, Switching Energy: 2.12mJ (on), 1.14mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 136 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 375 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AFGHL75T65SQDT за ціною від 220.70 грн до 577.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFGHL75T65SQDT AFGHL75T65SQDT Виробник : ONSEMI 2912993.pdf Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQDT - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+567.13 грн
10+466.89 грн
25+427.49 грн
100+358.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDT AFGHL75T65SQDT Виробник : onsemi AFGHL75T65SQDT-D.PDF IGBTs 650V/75A FS4 IGBT
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.34 грн
10+332.85 грн
120+226.81 грн
510+220.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDT Виробник : ON Semiconductor afghl75t65sqdt-d.pdf
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDT AFGHL75T65SQDT Виробник : ON Semiconductor afghl75t65sqdt-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDT AFGHL75T65SQDT Виробник : ON Semiconductor afghl75t65sqdt-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDT AFGHL75T65SQDT Виробник : ON Semiconductor afghl75t65sqdt-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDT Виробник : ONSEMI afghl75t65sqdt-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.