AFGY100T65SPD ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 100 A, 1.6 V, 660 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 872.50 грн |
| 5+ | 698.97 грн |
| 10+ | 525.45 грн |
| 50+ | 448.58 грн |
| 100+ | 383.35 грн |
| 250+ | 351.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGY100T65SPD ONSEMI
Description: IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 105 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/78ns, Switching Energy: 5.1mJ (on), 2.7mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 109 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 660 W.
Інші пропозиції AFGY100T65SPD за ціною від 421.76 грн до 872.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AFGY100T65SPD | onsemi |
IGBTs FS3 IGBT 650V/100A AND AUTO STEALTH DIODE |
на замовлення 1771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
| AFGY100T65SPD | ON Semiconductor |
|
на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| AFGY100T65SPD |
![]() |
Виробник: onsemi
IGBTs FS3 IGBT 650V/100A AND AUTO STEALTH DIODE
IGBTs FS3 IGBT 650V/100A AND AUTO STEALTH DIODE
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 872.50 грн |
| 10+ | 517.95 грн |
| 120+ | 421.76 грн |
| AFGY100T65SPD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


