AFGY100T65SPD ON Semiconductor
Виробник: ON SemiconductorTrans IGBTChip N-CH 650V 120A 660W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 450+ | 493.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGY100T65SPD ON Semiconductor
Description: IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 105 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/78ns, Switching Energy: 5.1mJ (on), 2.7mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 109 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 660 W.
Інші пропозиції AFGY100T65SPD за ціною від 373.31 грн до 886.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AFGY100T65SPD | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 100 A, 1.6 V, 660 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 660W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AFGY100T65SPD | Виробник : onsemi |
IGBTs IGBT - 650 V 100 A FS3 for EV traction inverter application IGBT - 650 V 100 A FS3 |
на замовлення 2203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AFGY100T65SPD | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
AFGY100T65SPD | Виробник : onsemi |
Description: IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 105 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 36ns/78ns Switching Energy: 5.1mJ (on), 2.7mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 109 nC Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 660 W |
товару немає в наявності |