| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 994.98 грн |
| 10+ | 591.40 грн |
| 120+ | 452.70 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGY100T65SPD onsemi
Description: IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 105 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/78ns, Switching Energy: 5.1mJ (on), 2.7mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 109 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 660 W.
Інші пропозиції AFGY100T65SPD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AFGY100T65SPD | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 100 A, 1.6 V, 660 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 660W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 100A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| AFGY100T65SPD |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 100 A, 1.6 V, 660 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 660W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 100 A, 1.6 V, 660 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 660W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)