AFGY120T65SPD-B4 onsemi
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGY120T65SPD-B4 onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 123 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 120A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 53ns/102ns, Switching Energy: 6.8mJ (on), 3.5mJ (off), Test Condition: 400V, 120A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 243 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 378 A, Power - Max: 882 W.
Інші пропозиції AFGY120T65SPD-B4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
AFGY120T65SPD-B4 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
AFGY120T65SPD-B4 | Виробник : ONSEMI |
![]() Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 882 Transistormontage: Durchsteckmontage Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 240 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
|
AFGY120T65SPD-B4 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 123 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 120A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 53ns/102ns Switching Energy: 6.8mJ (on), 3.5mJ (off) Test Condition: 400V, 120A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 243 nC Current - Collector (Ic) (Max): 240 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 378 A Power - Max: 882 W |
товару немає в наявності |