Продукція > ONSEMI > AFGY120T65SPD
AFGY120T65SPD

AFGY120T65SPD onsemi

afgy120t65spd-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 160A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/80ns
Switching Energy: 6.6mJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 714 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1068.36 грн
30+627.38 грн
120+539.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGY120T65SPD onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 160A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 107 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 120A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/80ns, Switching Energy: 6.6mJ (on), 3.8mJ (off), Test Condition: 400V, 120A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 125 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A, Power - Max: 714 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AFGY120T65SPD за ціною від 531.31 грн до 1152.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFGY120T65SPD AFGY120T65SPD Виробник : ONSEMI 3168452.pdf Description: ONSEMI - AFGY120T65SPD - IGBT, 120 A, 1.6 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1152.15 грн
5+927.67 грн
10+703.19 грн
50+600.85 грн
100+542.97 грн
250+531.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY120T65SPD Виробник : onsemi afgy120t65spd-d.pdf IGBTs FS3 IGBT 650V/120A AND AUTO STEALTH DIODE
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1074.43 грн
10+645.91 грн
120+538.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY120T65SPD AFGY120T65SPD Виробник : ON Semiconductor afgy120t65spd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 160A 714mW Automotive Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY120T65SPD Виробник : ONSEMI afgy120t65spd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 357W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 125nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Power dissipation: 357W
Collector-emitter voltage: 650V
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.