AFGY160T65SPD-B4 onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 132 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/98ns
Switching Energy: 12.4mJ (on), 5.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 160A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 245 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 882 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1134.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGY160T65SPD-B4 onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 132 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 160A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 53ns/98ns, Switching Energy: 12.4mJ (on), 5.7mJ (off), Test Condition: 400V, 160A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 245 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A, Power - Max: 882 W, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції AFGY160T65SPD-B4 за ціною від 632.55 грн до 1218.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AFGY160T65SPD-B4 | Виробник : onsemi |
IGBTs IGBT - 650V, 160A Field Stop Trench IGBT with VCESAT and VTH Binning |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
| AFGY160T65SPD-B4 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 190 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| AFGY160T65SPD-B4 | Виробник : ON Semiconductor |
IGBT 650V, 160A Field Stop Trench IGBT |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| AFGY160T65SPD-B4 | Виробник : ON Semiconductor |
IGBT 650V, 160A Field Stop Trench IGBT Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
AFGY160T65SPD-B4 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGY160T65SPD-B4 - IGBT SINGLE TRANSISTORSVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| AFGY160T65SPD-B4 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 160A Power dissipation: 441W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 480A Mounting: THT Gate charge: 163nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |
