Продукція > ONSEMI > AFGY160T65SPD-B4
AFGY160T65SPD-B4

AFGY160T65SPD-B4 onsemi

afgy160t65spd-b4-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 132 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/98ns
Switching Energy: 12.4mJ (on), 5.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 160A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 245 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 882 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1129.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGY160T65SPD-B4 onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 240A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 132 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 160A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 53ns/98ns, Switching Energy: 12.4mJ (on), 5.7mJ (off), Test Condition: 400V, 160A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 245 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A, Power - Max: 882 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.

Інші пропозиції AFGY160T65SPD-B4 за ціною від 577.49 грн до 973.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFGY160T65SPD-B4 Виробник : onsemi AFGY160T65SPD-B4-D.PDF IGBTs IGBT - 650V, 160A Field Stop Trench IGBT with VCESAT and VTH Binning
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+973.28 грн
10+703.54 грн
120+577.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY160T65SPD-B4 Виробник : ON Semiconductor afgy160t65spd-b4-d.pdf
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY160T65SPD-B4 Виробник : ON Semiconductor afgy160t65spd-b4-d.pdf IGBT 650V, 160A Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY160T65SPD-B4 Виробник : ON Semiconductor afgy160t65spd-b4-d.pdf IGBT 650V, 160A Field Stop Trench IGBT Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY160T65SPD-B4 AFGY160T65SPD-B4 Виробник : ONSEMI afgy160t65spd-b4-d.pdf Description: ONSEMI - AFGY160T65SPD-B4 - IGBT SINGLE TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGY160T65SPD-B4 Виробник : ONSEMI afgy160t65spd-b4-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.