AFT05MS006NT1

AFT05MS006NT1 NXP Semiconductors


977333448465848aft05ms006n.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 1302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+208.51 грн
60+206.29 грн
100+196.79 грн
250+180.31 грн
500+171.21 грн
1000+169.38 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFT05MS006NT1 NXP Semiconductors

Description: NXP - AFT05MS006NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 941MHz, Betriebsfrequenz, min.: 136MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 128W, Bauform - Transistor: PLD-1.5W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції AFT05MS006NT1 за ціною від 181.48 грн до 1341.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFT05MS006NT1 AFT05MS006NT1 Виробник : NXP Semiconductors 977333448465848aft05ms006n.pdf Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+639.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 AFT05MS006NT1 Виробник : NXP AFT05MS006N.pdf Description: NXP - AFT05MS006NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+689.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 AFT05MS006NT1 Виробник : NXP Semiconductors 977333448465848aft05ms006n.pdf Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+839.33 грн
4+225.68 грн
10+223.40 грн
25+213.14 грн
100+195.23 грн
250+185.47 грн
500+183.44 грн
1000+181.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 AFT05MS006NT1 Виробник : NXP Semiconductors 977333448465848aft05ms006n.pdf Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+1001.57 грн
100+951.39 грн
500+901.21 грн
1000+820.63 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 AFT05MS006NT1 Виробник : NXP Semiconductors 977333448465848aft05ms006n.pdf Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+1001.57 грн
100+951.39 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 AFT05MS006NT1 Виробник : NXP USA Inc. AFT05MS006N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 520MHz
Power - Output: 6W
Gain: 18.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1123.68 грн
10+857.75 грн
25+801.67 грн
100+694.45 грн
250+666.86 грн
500+657.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 AFT05MS006NT1 Виробник : NXP AFT05MS006N.pdf Description: NXP - AFT05MS006NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1341.37 грн
5+1173.80 грн
10+972.21 грн
50+809.57 грн
100+689.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 Виробник : NXP Semiconductors AFT05MS006N.pdf RF MOSFET Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1318.95 грн
10+1042.00 грн
100+783.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 AFT05MS006NT1 Виробник : NXP Semiconductors 977333448465848aft05ms006n.pdf Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 AFT05MS006NT1 Виробник : NXP Semiconductors 977333448465848aft05ms006n.pdf Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 Виробник : NXP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB8CE5B63DFF6A0D4&compId=AFT05MS006NT1.pdf?ci_sign=624316eedfcd193c911fa0362651ce1dd404a8c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125W; PLD-1.5W; Pout: 6W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 125W
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 6W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 18.3dB
Efficiency: 73%
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 AFT05MS006NT1 Виробник : NXP USA Inc. AFT05MS006N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 520MHz
Power - Output: 6W
Gain: 18.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 Виробник : NXP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB8CE5B63DFF6A0D4&compId=AFT05MS006NT1.pdf?ci_sign=624316eedfcd193c911fa0362651ce1dd404a8c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125W; PLD-1.5W; Pout: 6W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 125W
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 6W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 18.3dB
Efficiency: 73%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.