AFT05MS006NT1 NXP Semiconductors
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 205.74 грн |
| 10+ | 203.78 грн |
| 25+ | 201.82 грн |
| 100+ | 192.71 грн |
| 250+ | 176.69 грн |
| 500+ | 167.87 грн |
| 1000+ | 166.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFT05MS006NT1 NXP Semiconductors
Description: NXP - AFT05MS006NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 941MHz, Betriebsfrequenz, min.: 136MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 128W, Bauform - Transistor: PLD-1.5W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції AFT05MS006NT1 за ціною від 163.84 грн до 362.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
на замовлення 1555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - AFT05MS006NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 941MHz Betriebsfrequenz, min.: 136MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
на замовлення 327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - AFT05MS006NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 941MHz Betriebsfrequenz, min.: 136MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Power - Output: 6W Gain: 18.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Not For New Designs Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors 136-941 MHz 6 W 7.5V |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP |
AFT05MS006NT1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Power - Output: 6W Gain: 18.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Not For New Designs Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA |
товару немає в наявності |