AFT05MS006NT1

AFT05MS006NT1 NXP Semiconductors


977333448465848aft05ms006n.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
64+190.69 грн
65+188.25 грн
100+185.82 грн
200+169.79 грн
500+146.35 грн
1000+139.80 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFT05MS006NT1 NXP Semiconductors

Description: NXP - AFT05MS006NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 941MHz, Betriebsfrequenz, min.: 136MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 128W, Bauform - Transistor: PLD-1.5W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції AFT05MS006NT1 за ціною від 155.65 грн до 360.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFT05MS006NT1 AFT05MS006NT1 Виробник : NXP Semiconductors 977333448465848aft05ms006n.pdf Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+194.77 грн
10+192.59 грн
25+190.40 грн
100+181.50 грн
250+166.03 грн
500+157.52 грн
1000+155.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 AFT05MS006NT1 Виробник : NXP AFT05MS006N.pdf Description: NXP - AFT05MS006NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+240.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 AFT05MS006NT1 Виробник : NXP Semiconductors 977333448465848aft05ms006n.pdf Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
120+253.58 грн
500+240.39 грн
1000+227.20 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 AFT05MS006NT1 Виробник : NXP Semiconductors 977333448465848aft05ms006n.pdf Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
120+253.58 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 AFT05MS006NT1 Виробник : NXP USA Inc. AFT05MS006N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 520MHz
Power - Output: 6W
Gain: 18.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.17 грн
10+250.75 грн
25+231.12 грн
100+196.63 грн
250+193.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 AFT05MS006NT1 Виробник : NXP AFT05MS006N.pdf Description: NXP - AFT05MS006NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+357.31 грн
10+282.39 грн
100+240.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 Виробник : NXP Semiconductors AFT05MS006N-3137869.pdf RF MOSFET Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.47 грн
10+281.89 грн
25+228.98 грн
100+211.37 грн
250+204.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 AFT05MS006NT1 Виробник : NXP Semiconductors 977333448465848aft05ms006n.pdf Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 AFT05MS006NT1 Виробник : NXP Semiconductors 977333448465848aft05ms006n.pdf Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 Виробник : NXP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB8CE5B63DFF6A0D4&compId=AFT05MS006NT1.pdf?ci_sign=624316eedfcd193c911fa0362651ce1dd404a8c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125W; PLD-1.5W; Pout: 6W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 125W
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 6W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 18.3dB
Efficiency: 73%
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 AFT05MS006NT1 Виробник : NXP USA Inc. AFT05MS006N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 520MHz
Power - Output: 6W
Gain: 18.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1 Виробник : NXP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB8CE5B63DFF6A0D4&compId=AFT05MS006NT1.pdf?ci_sign=624316eedfcd193c911fa0362651ce1dd404a8c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125W; PLD-1.5W; Pout: 6W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 125W
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 6W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 18.3dB
Efficiency: 73%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.