AFT05MS031GNR1 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270BA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 520MHz
Power - Output: 31W
Gain: 17.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 10 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270BA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 520MHz
Power - Output: 31W
Gain: 17.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 674.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFT05MS031GNR1 NXP USA Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 294W; TO270G-2; Pout: 33W; SMT, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: RF, Power dissipation: 294W, Case: TO270G-2, Kind of package: reel; tape, Frequency: 520MHz, Kind of channel: enhanced, Output power: 33W, Electrical mounting: SMT, Open-loop gain: 17.7dB, Efficiency: 71.4%, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції AFT05MS031GNR1 за ціною від 616.21 грн до 1511.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AFT05MS031GNR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Power - Output: 31W Gain: 17.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 13.6 V Current - Test: 10 mA |
на замовлення 504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AFT05MS031GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MV9 UHF 13.6V |
на замовлення 1727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AFT05MS031GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 GULL T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AFT05MS031GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 GULL T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
AFT05MS031GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 GULL T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
AFT05MS031GNR1 | Виробник : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 294W; TO270G-2; Pout: 33W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 294W Case: TO270G-2 Kind of package: reel; tape Frequency: 520MHz Kind of channel: enhanced Output power: 33W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.7dB Efficiency: 71.4% кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
AFT05MS031GNR1 | Виробник : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 294W; TO270G-2; Pout: 33W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 294W Case: TO270G-2 Kind of package: reel; tape Frequency: 520MHz Kind of channel: enhanced Output power: 33W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.7dB Efficiency: 71.4% |
товар відсутній |