AFT09MP055NR1 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsDescription: RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-270AB
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 764MHz ~ 941MHz
Configuration: 2 N-Channel
Power - Output: 57W
Gain: 15.7dB @ 870MHz
Technology: LDMOS (Dual)
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 12.5 V
Current - Test: 550 mA
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 1545.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFT09MP055NR1 NXP Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WB-4; Pout: 57W; SMT, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: RF, Power dissipation: 625W, Case: TO270WB-4, Kind of package: reel; tape, Frequency: 870MHz, Kind of channel: enhanced, Output power: 57W, Electrical mounting: SMT, Open-loop gain: 17.5dB, Efficiency: 69%, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції AFT09MP055NR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AFT09MP055NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 40V 5-Pin TO-270 W T/R |
товар відсутній |
|
 |
AFT09MP055NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 40V 5-Pin TO-270 W T/R |
товар відсутній |
|
| AFT09MP055NR1 | Виробник : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WB-4; Pout: 57W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 625W Case: TO270WB-4 Kind of package: reel; tape Frequency: 870MHz Kind of channel: enhanced Output power: 57W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.5dB Efficiency: 69% кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
AFT09MP055NR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 1W Gain: 15.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 12.5 V Current - Test: 550 mA |
товар відсутній |
|
 |
AFT09MP055NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors MV9 55W 12.5V TO270WB4 |
товар відсутній |
|
| AFT09MP055NR1 | Виробник : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WB-4; Pout: 57W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 625W Case: TO270WB-4 Kind of package: reel; tape Frequency: 870MHz Kind of channel: enhanced Output power: 57W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.5dB Efficiency: 69% |
товар відсутній |