Інші пропозиції AFT09MS007NT1 за ціною від 260.29 грн до 470.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AFT09MS007NT1 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5WPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 7.3W Gain: 15.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Active Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA |
на замовлення 482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
AFT09MS007NT1 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| AFT09MS007NT1 |
![]() |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 7.3W
Gain: 15.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 7.3W
Gain: 15.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 470.74 грн |
| 10+ | 346.88 грн |
| 25+ | 320.35 грн |
| 100+ | 273.31 грн |
| 250+ | 260.29 грн |
| AFT09MS007NT1 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




