AFT09MS007NT1

AFT09MS007NT1

код товара: 107764
Производитель:
Транзисторы - Полевые N-канальные

htmlspecialchars($datasheet_name)
В наличии/под заказ

Техническое описание AFT09MS007NT1

Цена AFT09MS007NT1 от 97.69 грн до 168.07 грн

AFT09MS007NT1
AFT09MS007NT1
Производитель: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors LANDMOBILE 7W PLD1.5W
htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 1048 шт
срок поставки 7-21 дня (дней)
3+ 158.27 грн
10+ 143.4 грн
25+ 113.39 грн
100+ 101.75 грн
AFT09MS007NT1
AFT09MS007NT1
Производитель: NXP USA Inc.
FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W; Supplier Device Package : PLD-1.5W; Package / Case : PLD-1.5W; Voltage - Rated : 30V; Gain : 15.2dB; Frequency : 870MHz; Transistor Type : LDMOS; Part Status : Active; Packaging : Cut Tape (CT); Power - Output : 7.3W; Current - Test : 100mA; Voltage - Test : 7.5V
htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 1089 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
3+ 168.07 грн
10+ 150.85 грн
100+ 114.76 грн
500+ 97.69 грн

AFT09MS007NT1
Производитель:
AFT09MS007NT1 PLD1.5W/Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

AFT09MS007NT1
Производитель:
AFT09MS007NT1 PLD1.5W/Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

AFT09MS007NT1
Производитель:
AFT09MS007NT1 PLD1.5W/Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

AFT09MS007NT1
Производитель:
AFT09MS007NT1 PLD1.5W/Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

AFT09MS007NT1
Производитель:
AFT09MS007NT1 PLD1.5W/Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

AFT09MS007NT1
Производитель:
AFT09MS007NT1 PLD1.5W/Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

AFT09MS007NT1
Производитель:
AFT09MS007NT1 PLD1.5W/Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
AFT09MS007NT1
AFT09MS007NT1
Производитель: NXP USA Inc.
FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W; Supplier Device Package : PLD-1.5W; Package / Case : PLD-1.5W; Voltage - Rated : 30V; Power - Output : 7.3W; Current - Test : 100mA; Voltage - Test : 7.5V; Gain : 15.2dB; Part Status : Active; Transistor Type : LDMOS; Frequency : 870MHz; Packaging : Tape & Reel (TR)
htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 943 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)