Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > AFT09MS007NT1
AFT09MS007NT1

AFT09MS007NT1

AFT09MS007N.pdf
Код товару: 107764
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції AFT09MS007NT1 за ціною від 495.23 грн до 881.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 NXP USA Inc. AFT09MS007N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 7.3W
Gain: 15.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+535.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 NXP 2353638.pdf Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+770.42 грн
100+639.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 NXP USA Inc. AFT09MS007N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 7.3W
Gain: 15.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+875.03 грн
10+661.22 грн
25+615.80 грн
100+531.03 грн
250+508.70 грн
500+495.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 NXP 2353638.pdf Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+881.18 грн
10+770.42 грн
100+639.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1 AFT09MS007N.pdf
AFT09MS007NT1
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 7.3W
Gain: 15.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+535.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1 2353638.pdf
AFT09MS007NT1
Виробник: NXP
Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+770.42 грн
100+639.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1 AFT09MS007N.pdf
AFT09MS007NT1
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 7.3W
Gain: 15.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+875.03 грн
10+661.22 грн
25+615.80 грн
100+531.03 грн
250+508.70 грн
500+495.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1 2353638.pdf
AFT09MS007NT1
Виробник: NXP
Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+881.18 грн
10+770.42 грн
100+639.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.