AFT09MS007NT1 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 7.3W
Gain: 15.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 160.91 грн |
| 2000+ | 147.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFT09MS007NT1 NXP USA Inc.
Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 941MHz, Betriebsfrequenz, min.: 136MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: PLD-1.5W, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції AFT09MS007NT1 за ціною від 140.64 грн до 353.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AFT09MS007NT1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 941MHz Betriebsfrequenz, min.: 136MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AFT09MS007NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT09MS007NT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 7.3W Gain: 15.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Active Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA |
на замовлення 4876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AFT09MS007NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors LANDMOBILE 7W PLD1.5W |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 142-151 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT09MS007NT1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 941MHz Betriebsfrequenz, min.: 136MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AFT09MS007NT1 Код товару: 107764 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
 |
AFT09MS007NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AFT09MS007NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AFT09MS007NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
товар відсутній |