AFT09MS007NT1

AFT09MS007NT1 NXP USA Inc.


AFT09MS007N.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 7.3W
Gain: 15.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+169.60 грн
2000+159.56 грн
3000+157.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFT09MS007NT1 NXP USA Inc.

Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 941MHz, Betriebsfrequenz, min.: 136MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: PLD-1.5W, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції AFT09MS007NT1 за ціною від 167.29 грн до 351.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 Виробник : NXP Semiconductors 973908995118500aft09ms007n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+172.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 Виробник : NXP Semiconductors 973908995118500aft09ms007n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+176.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 Виробник : NXP Semiconductors 973908995118500aft09ms007n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+185.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 Виробник : NXP 2353638.pdf Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+214.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 Виробник : NXP USA Inc. AFT09MS007N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 7.3W
Gain: 15.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.82 грн
10+219.40 грн
25+201.85 грн
100+171.36 грн
250+167.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 Виробник : NXP 2353638.pdf Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+338.37 грн
10+256.66 грн
100+214.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 Виробник : NXP Semiconductors AFT09MS007N-3138287.pdf RF MOSFET Transistors LANDMOBILE 7W PLD1.5W
на замовлення 3926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.04 грн
10+262.27 грн
25+209.67 грн
100+189.81 грн
250+180.24 грн
500+175.09 грн
1000+173.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1 Виробник : NXP AFT09MS007N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+235.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1
Код товару: 107764
Додати до обраних Обраний товар

AFT09MS007N.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 Виробник : NXP Semiconductors 973908995118500aft09ms007n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 Виробник : NXP Semiconductors 973908995118500aft09ms007n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.