AFT09MS031GNR1 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270BA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 31W
Gain: 17.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Part Status: Active
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 500 mA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 888.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFT09MS031GNR1 NXP USA Inc.
Description: NXP - AFT09MS031GNR1 - RF FET, 40V, 150DEG C, 317W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 hours, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 941MHz, Betriebsfrequenz, min.: 764MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 317W, Bauform - Transistor: TO-270, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції AFT09MS031GNR1 за ціною від 891.97 грн до 1369.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AFT09MS031GNR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 31W Gain: 17.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 13.6 V Current - Test: 500 mA |
на замовлення 1176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
AFT09MS031GNR1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - AFT09MS031GNR1 - RF FET, 40V, 150DEG C, 317W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 hours usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 941MHz Betriebsfrequenz, min.: 764MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 317W Bauform - Transistor: TO-270 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
AFT09MS031GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 GULL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
AFT09MS031GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 40V 3-Pin TO-270 GULL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
AFT09MS031GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 40V 3-Pin TO-270 GULL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| AFT09MS031GNR1 | Виробник : NXP |
AFT09MS031GNR1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
AFT09MS031GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors MV9 800MHZ13.6V |
товару немає в наявності |