AFT09S200W02GNR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-780-2G
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 960MHz
Power - Output: 56W
Gain: 19.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-780-2 Gull
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 70 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.4 A
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-780-2G
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 960MHz
Power - Output: 56W
Gain: 19.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-780-2 Gull
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 70 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.4 A
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFT09S200W02GNR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-780-2G, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 960MHz, Power - Output: 56W, Gain: 19.2dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-780-2 Gull, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 70 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1.4 A.
Інші пропозиції AFT09S200W02GNR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| AFT09S200W02GNR3 | Виробник : NXP / Freescale |
 RF MOSFET Transistors 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V |
товару немає в наявності |