Технічний опис AFT18P350-4S2LR6 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4LS2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.81GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 63W, Gain: 16.1dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1 A.
Інші пропозиції AFT18P350-4S2LR6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| AFT18P350-4S2LR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin NI-1230 T/R |
товару немає в наявності |
||
 |
AFT18P350-4S2LR6 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4LS2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.81GHz Configuration: Dual Power - Output: 63W Gain: 16.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1 A |
товару немає в наявності |
|
 |
AFT18P350-4S2LR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors AIRFAST 1.8-2.0GHZ C |
товару немає в наявності |