Продукція > NXP USA INC. > AFT18P350-4S2LR6
AFT18P350-4S2LR6

AFT18P350-4S2LR6 NXP USA Inc.



Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.81GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 63W
Gain: 16.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1 A
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFT18P350-4S2LR6 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4LS2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.81GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 63W, Gain: 16.1dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1 A.

Інші пропозиції AFT18P350-4S2LR6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFT18P350-4S2LR6 AFT18P350-4S2LR6 NXP Semiconductors AFT18P350-4S2L-1125866.pdf RF MOSFET Transistors AIRFAST 1.8-2.0GHZ C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT18P350-4S2LR6 AFT18P350-4S2L-1125866.pdf
AFT18P350-4S2LR6
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors AIRFAST 1.8-2.0GHZ C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.