AFT20S015GNR1 NXP
Виробник: NXP
Description: NXP - AFT20S015GNR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.805GHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11W
Bauform - Transistor: TO-270G
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: AFT20S015GN
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 1791.90 грн |
| 50+ | 1606.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFT20S015GNR1 NXP
Description: NXP - AFT20S015GNR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.805GHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 11W, Bauform - Transistor: TO-270G, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: AFT20S015GN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції AFT20S015GNR1 за ціною від 1298.98 грн до 2156.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AFT20S015GNR1 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Technology: LDMOS Gain: 17.6dB Power - Output: 1.5W Frequency: 2.17GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270BA Packaging: Cut Tape (CT) Current - Test: 132 mA |
на замовлення 626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
AFT20S015GNR1 | NXP |
Description: NXP - AFT20S015GNR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270GtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.805GHz euEccn: NLR Verlustleistung: 11W Bauform - Transistor: TO-270G Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: AFT20S015GN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AFT20S015GNR1 |
![]() |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Technology: LDMOS
Gain: 17.6dB
Power - Output: 1.5W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 132 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Technology: LDMOS
Gain: 17.6dB
Power - Output: 1.5W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 132 mA
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1931.23 грн |
| 10+ | 1499.65 грн |
| 25+ | 1409.78 грн |
| 100+ | 1298.98 грн |
| AFT20S015GNR1 |
![]() |
Виробник: NXP
Description: NXP - AFT20S015GNR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.805GHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11W
Bauform - Transistor: TO-270G
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: AFT20S015GN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NXP - AFT20S015GNR1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.805GHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11W
Bauform - Transistor: TO-270G
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: AFT20S015GN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2156.18 грн |
| 5+ | 1983.06 грн |
| 10+ | 1791.90 грн |
| 50+ | 1606.00 грн |

