на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 10504.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFT23H160-25SR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880X-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-880X-4L4S-8, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.3GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 32W, Gain: 16.7dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-880X-4L4S-8, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 450 mA.
Інші пропозиції AFT23H160-25SR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| AFT23H160-25SR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
 High Reliability RF FET IC |
товару немає в наявності |
||
| AFT23H160-25SR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880X-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-880X-4L4S-8 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.3GHz Configuration: Dual Power - Output: 32W Gain: 16.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880X-4L4S-8 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 450 mA |
товару немає в наявності |
||
| AFT23H160-25SR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 32 W Avg., 28 V |
товару немає в наявності |