AFT23H200-4S2LR6 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Current - Test: 500 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L
Technology: LDMOS
Gain: 15.3dB
Power - Output: 45W
Configuration: Dual
Frequency: 2.3GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFT23H200-4S2LR6 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230, Current - Test: 500 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L, Technology: LDMOS, Gain: 15.3dB, Power - Output: 45W, Configuration: Dual, Frequency: 2.3GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-1230-4LS2L, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції AFT23H200-4S2LR6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| AFT23H200-4S2LR6 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| AFT23H200-4S2LR6 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L
RF MOSFET Transistors HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.