Продукція > NXP USA INC. > AFT23S160W02GSR3

AFT23S160W02GSR3 NXP USA Inc.



Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 1.1 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NI-780GS-2L
Technology: LDMOS
Gain: 17.9dB
Power - Output: 45W
Frequency: 2.4GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-780GS-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFT23S160W02GSR3 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Current - Test: 1.1 A, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: NI-780GS-2L, Technology: LDMOS, Gain: 17.9dB, Power - Output: 45W, Frequency: 2.4GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: NI-780GS-2L, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції AFT23S160W02GSR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFT23S160W02GSR3 Виробник : NXP / Freescale AFT23S160W02S-1126028.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.3-4GHz 45W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.