Продукція > NXP USA INC. > AFT26H200W03SR6
AFT26H200W03SR6

AFT26H200W03SR6 NXP USA Inc.



Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Current - Test: 500 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NI-1230-4S
Technology: LDMOS
Gain: 14.1dB
Power - Output: 45W
Frequency: 2.5GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-1230-4S
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFT26H200W03SR6 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230, Current - Test: 500 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: NI-1230-4S, Technology: LDMOS, Gain: 14.1dB, Power - Output: 45W, Frequency: 2.5GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-1230-4S, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції AFT26H200W03SR6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFT26H200W03SR6 NXP Semiconductors AFT26H200W03S-1125903.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT26H200W03SR6 AFT26H200W03S-1125903.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.