AFT26HW050GSR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-780GS-4L4L
Technology: LDMOS
Gain: 14.2dB
Power - Output: 9W
Configuration: Dual
Frequency: 2.69GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-780GS-4L4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFT26HW050GSR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Current - Test: 100 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: NI-780GS-4L4L, Technology: LDMOS, Gain: 14.2dB, Power - Output: 9W, Configuration: Dual, Frequency: 2.69GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: NI-780GS-4L4L, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції AFT26HW050GSR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| AFT26HW050GSR3 | NXP / Freescale |
RF MOSFET Transistors HV9 2.6GHz50W NI780-4S4G |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| AFT26HW050GSR3 |
|
Виробник: NXP / Freescale
RF MOSFET Transistors HV9 2.6GHz50W NI780-4S4G
RF MOSFET Transistors HV9 2.6GHz50W NI780-4S4G
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.