Технічний опис AFT26HW050GSR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780GS-4L4L, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.69GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 9W, Gain: 14.2dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780GS-4L4L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції AFT26HW050GSR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| AFT26HW050GSR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780GS-4L4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.69GHz Configuration: Dual Power - Output: 9W Gain: 14.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780GS-4L4L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 100 mA |
товару немає в наявності |
||
| AFT26HW050GSR3 | Виробник : NXP / Freescale |
RF MOSFET Transistors HV9 2.6GHz50W NI780-4S4G |
товару немає в наявності |