AFT27S006NT1 NXP Semiconductors
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 522.49 грн |
| 25+ | 509.97 грн |
| 100+ | 485.68 грн |
| 250+ | 444.08 грн |
| 500+ | 420.91 грн |
| 1000+ | 415.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFT27S006NT1 NXP Semiconductors
Description: NXP - AFT27S006NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3700 MHz, PLD-1.5W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 3700MHz, Betriebsfrequenz, min.: 728MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: PLD-1.5W, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: AFT27S006N, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції AFT27S006NT1 за ціною від 445.19 грн до 1537.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AFT27S006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT27S006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
на замовлення 1139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT27S006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT27S006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT27S006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT27S006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AFT27S006NT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 28.8dBm Gain: 22dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 70 mA |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT27S006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
на замовлення 3142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AFT27S006NT1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - AFT27S006NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3700 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 3700MHz Betriebsfrequenz, min.: 728MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: AFT27S006N productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT27S006NT1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - AFT27S006NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3700 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 3700MHz Betriebsfrequenz, min.: 728MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: AFT27S006N productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| AFT27S006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V |
на замовлення 519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| AFT27S006NT1 | Виробник : Freescale |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
AFT27S006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
AFT27S006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
AFT27S006NT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 28.8dBm Gain: 22dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 70 mA |
товару немає в наявності |