Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > AFT27S006NT1
AFT27S006NT1

AFT27S006NT1 NXP Semiconductors

449957263928703aft27s006n.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+510.13 грн
25+497.91 грн
100+474.20 грн
250+433.58 грн
500+410.96 грн
1000+405.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFT27S006NT1 NXP Semiconductors

Description: NXP - AFT27S006NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3700 MHz, PLD-1.5W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 3700MHz, Betriebsfrequenz, min.: 728MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: PLD-1.5W, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: AFT27S006N, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції AFT27S006NT1 за ціною від 434.67 грн до 987.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFT27S006NT1 AFT27S006NT1 Виробник : NXP Semiconductors 449957263928703aft27s006n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+541.78 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S006NT1 AFT27S006NT1 Виробник : NXP Semiconductors 449957263928703aft27s006n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+546.57 грн
10+539.98 грн
25+533.48 грн
100+508.07 грн
250+464.55 грн
500+440.32 грн
1000+434.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S006NT1 AFT27S006NT1 Виробник : NXP PHGL-S-A0003845993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - AFT27S006NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3700 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 3700MHz
Betriebsfrequenz, min.: 728MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: AFT27S006N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+753.00 грн
50+662.54 грн
100+567.63 грн
250+558.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S006NT1 AFT27S006NT1 Виробник : NXP Semiconductors 449957263928703aft27s006n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+756.86 грн
100+725.50 грн
500+695.14 грн
1000+633.24 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S006NT1 AFT27S006NT1 Виробник : NXP Semiconductors 449957263928703aft27s006n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+756.86 грн
100+725.50 грн
500+695.14 грн
1000+633.24 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S006NT1 AFT27S006NT1 Виробник : NXP Semiconductors 449957263928703aft27s006n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+756.86 грн
100+725.50 грн
500+695.14 грн
1000+633.24 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S006NT1 AFT27S006NT1 Виробник : NXP Semiconductors 449957263928703aft27s006n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+756.86 грн
100+725.50 грн
500+695.14 грн
1000+633.24 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S006NT1 AFT27S006NT1 Виробник : NXP USA Inc. AFT27S006N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 28.8dBm
Gain: 22dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 70 mA
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+866.31 грн
10+655.60 грн
25+610.85 грн
100+539.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S006NT1 AFT27S006NT1 Виробник : NXP PHGL-S-A0003845993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - AFT27S006NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3700 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 3700MHz
Betriebsfrequenz, min.: 728MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: AFT27S006N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+887.47 грн
5+820.24 грн
10+753.00 грн
50+662.54 грн
100+567.63 грн
250+558.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S006NT1 AFT27S006NT1 Виробник : NXP Semiconductors 449957263928703aft27s006n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 3142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+987.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S006NT1 Виробник : NXP Semiconductors AFT27S006N-3137958.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+847.80 грн
10+632.37 грн
100+513.93 грн
500+506.43 грн
1000+460.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S006NT1 Виробник : Freescale AFT27S006N.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S006NT1 AFT27S006NT1 Виробник : NXP Semiconductors 449957263928703aft27s006n.pdf Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S006NT1 AFT27S006NT1 Виробник : NXP Semiconductors 449957263928703aft27s006n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S006NT1 Виробник : NXP AFT27S006N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 6W; SMT; 22.8dB; 19.8%
Electrical mounting: SMT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Case: PLD-1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of transistor: RF
Polarisation: unipolar
Output power: 6W
Open-loop gain: 22.8dB
Efficiency: 19.8%
Frequency: 2140MHz
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S006NT1 AFT27S006NT1 Виробник : NXP USA Inc. AFT27S006N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 28.8dBm
Gain: 22dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 70 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S006NT1 Виробник : NXP AFT27S006N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 6W; SMT; 22.8dB; 19.8%
Electrical mounting: SMT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Case: PLD-1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of transistor: RF
Polarisation: unipolar
Output power: 6W
Open-loop gain: 22.8dB
Efficiency: 19.8%
Frequency: 2140MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.