Продукція > NXP > AFT27S010NT1

AFT27S010NT1 NXP


AFT27S010N.pdf
Виробник: NXP
FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W Транзистори
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFT27S010NT1 NXP

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 10W; SMT; 21.8dB; 23%, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: RF, Case: PLD-1.5W, Kind of package: reel; tape, Frequency: 2140MHz, Kind of channel: enhancement, Output power: 10W, Electrical mounting: SMT, Open-loop gain: 21.8dB, Efficiency: 23%.

Інші пропозиції AFT27S010NT1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFT27S010NT1 AFT27S010NT1 NXP USA Inc. AFT27S010N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 1.26W
Gain: 21.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 90 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S010NT1 AFT27S010NT1 NXP USA Inc. AFT27S010N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 1.26W
Gain: 21.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 90 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S010NT1 NXP Semiconductors AFT27S010N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Bulk
Package / Case: PLD-1.5W
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 728MHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 1.26W
Gain: 21.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 90 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S010NT1 AFT27S010NT1 NXP Semiconductors AFT27S010N.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-3.6GHz 1.26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S010NT1 NXP AFT27S010N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 10W; SMT; 21.8dB; 23%
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 10W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 21.8dB
Efficiency: 23%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S010NT1 AFT27S010N.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 1.26W
Gain: 21.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 90 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S010NT1 AFT27S010N.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 1.26W
Gain: 21.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 90 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S010NT1 AFT27S010N.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Bulk
Package / Case: PLD-1.5W
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 728MHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 1.26W
Gain: 21.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 90 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S010NT1 AFT27S010N.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-3.6GHz 1.26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S010NT1 AFT27S010N.pdf
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 10W; SMT; 21.8dB; 23%
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 10W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 21.8dB
Efficiency: 23%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.