Продукція > NXP > AFT27S010NT1
AFT27S010NT1

AFT27S010NT1 NXP

AFT27S010N.pdf Виробник: NXP
Description: NXP - AFT27S010NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3600 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 3600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 728MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: AFT27S010N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+710.12 грн
50+636.22 грн
100+566.62 грн
250+545.23 грн
500+523.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFT27S010NT1 NXP

Description: NXP - AFT27S010NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3600 MHz, PLD-1.5W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 3600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 728MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: PLD-1.5W, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: AFT27S010N, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції AFT27S010NT1 за ціною від 523.83 грн до 1098.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFT27S010NT1 AFT27S010NT1 Виробник : NXP Semiconductors 785505516963207aft27s010n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+895.41 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S010NT1 AFT27S010NT1 Виробник : NXP AFT27S010N.pdf Description: NXP - AFT27S010NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3600 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 3600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 728MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: AFT27S010N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1098.32 грн
5+904.65 грн
10+710.12 грн
50+636.22 грн
100+566.62 грн
250+545.23 грн
500+523.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S010NT1 AFT27S010NT1 Виробник : NXP Semiconductors 785505516963207aft27s010n.pdf Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S010NT1 AFT27S010NT1 Виробник : NXP USA Inc. AFT27S010N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 1.26W
Gain: 21.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 90 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S010NT1 AFT27S010NT1 Виробник : NXP USA Inc. AFT27S010N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 1.26W
Gain: 21.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 90 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S010NT1 Виробник : NXP Semiconductors AFT27S010N.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Bulk
Package / Case: PLD-1.5W
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 728MHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 1.26W
Gain: 21.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 90 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S010NT1 AFT27S010NT1 Виробник : NXP Semiconductors AFT27S010N.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-3.6GHz 1.26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT27S010NT1 Виробник : NXP AFT27S010N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 10W; SMT; 21.8dB; 23%
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 10W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 21.8dB
Efficiency: 23%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.