AFT27S012NT1 NXP Semiconductors
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 258.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFT27S012NT1 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PLD-1.5W, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 728MHz ~ 2.7GHz, Power - Output: 13W, Gain: 20.9dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: PLD-1.5W, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 90 mA.
Інші пропозиції AFT27S012NT1 за ціною від 1579.80 грн до 1579.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AFT27S012NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
 RF Power LDMOS Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| AFT27S012NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Power LDMOS Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
товару немає в наявності |
||||||
 |
AFT27S012NT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5W Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 728MHz ~ 2.7GHz Power - Output: 13W Gain: 20.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 90 mA |
товару немає в наявності |
|||||
 |
AFT27S012NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-2700 MHz, 1.26 W AVG., 28 V |
товару немає в наявності |