Технічний опис AFT31150NR5 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-780-2, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.7GHz ~ 3.1GHz, Power - Output: 150W, Gain: 17.2dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-780-2, Part Status: Active, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 32 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції AFT31150NR5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
AFT31150NR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
AFT31150NR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|
AFT31150NR5 | Виробник : NXP |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
AFT31150NR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780-2 Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.7GHz ~ 3.1GHz Power - Output: 150W Gain: 17.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780-2 Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 32 V Current - Test: 100 mA |
товару немає в наявності |
|
![]() |
AFT31150NR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: OM-780-2 Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.7GHz ~ 3.1GHz Power - Output: 150W Gain: 17.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780-2 Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 32 V Current - Test: 100 mA |
товару немає в наявності |
|
|
AFT31150NR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |