AFV10700GSR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 105 V
Supplier Device Package: NI-780GS-4L
Technology: LDMOS
Gain: 19.2dB
Power - Output: 700W
Configuration: Dual
Frequency: 1.03GHz ~ 1.09GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Current Rating (Amps): 10µA
Package / Case: NI-780GS-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFV10700GSR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780, Current - Test: 100 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 105 V, Supplier Device Package: NI-780GS-4L, Technology: LDMOS, Gain: 19.2dB, Power - Output: 700W, Configuration: Dual, Frequency: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Current Rating (Amps): 10µA, Package / Case: NI-780GS-4L, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції AFV10700GSR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AFV10700GSR5 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| AFV10700GSR5 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.