AFV121KHR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 960MHz ~ 1.22GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1000W
Gain: 19.6dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Voltage - Rated: 112 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 51721.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFV121KHR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-979A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 960MHz ~ 1.22GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 1000W, Gain: 19.6dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4H, Voltage - Rated: 112 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції AFV121KHR5 за ціною від 56263.24 грн до 62004.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AFV121KHR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 960MHz ~ 1.22GHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 19.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Voltage - Rated: 112 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
AFV121KHR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 112V 5-Pin NI-1230 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||
| AFV121KHR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V |
товару немає в наявності |