AG040FGS4FRATCB

AG040FGS4FRATCB Rohm Semiconductor


ag040fgs4fratcb-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4.2mA
Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+84.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AG040FGS4FRATCB Rohm Semiconductor

Description: NCH 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, PO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 120A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4.2mA, Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AG040FGS4FRATCB за ціною від 93.20 грн до 259.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AG040FGS4FRATCB AG040FGS4FRATCB Виробник : Rohm Semiconductor ag040fgs4fratcb-e.pdf Description: NCH 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4.2mA
Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.52 грн
10+162.93 грн
100+113.76 грн
500+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.