AG040FGS4FRATCB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4.2mA
Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 253.55 грн |
| 10+ | 159.38 грн |
| 50+ | 122.99 грн |
| 100+ | 104.42 грн |
| 500+ | 85.19 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AG040FGS4FRATCB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - AG040FGS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1400 µohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm.
Інші пропозиції AG040FGS4FRATCB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AG040FGS4FRATCB | ROHM |
Description: ROHM - AG040FGS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1400 µohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm |
на замовлення 2894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
AG040FGS4FRATCB | ROHM |
Description: ROHM - AG040FGS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1400 µohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| AG040FGS4FRATCB |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG040FGS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1400 µohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
Description: ROHM - AG040FGS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1400 µohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AG040FGS4FRATCB |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG040FGS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1400 µohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ROHM - AG040FGS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1400 µohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)