Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > AG052FPS4FRATCB
AG052FPS4FRATCB

AG052FPS4FRATCB ROHM Semiconductor

ag052fps4fratcb-e.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 100V 58A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+152.97 грн
10+96.77 грн
100+57.80 грн
500+45.86 грн
1000+43.44 грн
3000+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AG052FPS4FRATCB ROHM Semiconductor

Description: ROHM - AG052FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.022 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 75W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

Інші пропозиції AG052FPS4FRATCB за ціною від 52.26 грн до 165.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AG052FPS4FRATCB AG052FPS4FRATCB Rohm Semiconductor ag052fps4fratcb-e.pdf Description: NCH 100V 58A, HPLF5060T5LSAH, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.43 грн
10+102.21 грн
50+77.58 грн
100+65.35 грн
500+52.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG052FPS4FRATCB AG052FPS4FRATCB ROHM ag052fps4fratcb-e.pdf Description: ROHM - AG052FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.022 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AG052FPS4FRATCB AG052FPS4FRATCB ROHM ag052fps4fratcb-e.pdf Description: ROHM - AG052FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.022 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG052FPS4FRATCB ag052fps4fratcb-e.pdf
AG052FPS4FRATCB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 58A, HPLF5060T5LSAH, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.43 грн
10+102.21 грн
50+77.58 грн
100+65.35 грн
500+52.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG052FPS4FRATCB ag052fps4fratcb-e.pdf
AG052FPS4FRATCB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG052FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.022 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AG052FPS4FRATCB ag052fps4fratcb-e.pdf
AG052FPS4FRATCB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG052FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.022 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.