AG052FPS4FRATCB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 58A, HPLF5060T5LSAH, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 170.91 грн |
| 10+ | 105.59 грн |
| 50+ | 80.15 грн |
| 100+ | 67.52 грн |
| 500+ | 53.99 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AG052FPS4FRATCB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - AG052FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.022 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 75W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.
Інші пропозиції AG052FPS4FRATCB за ціною від 48.39 грн до 193.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AG052FPS4FRATCB | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, Nch 100V 58A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET |
на замовлення 11 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
AG052FPS4FRATCB | ROHM |
Description: ROHM - AG052FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.022 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 75W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
AG052FPS4FRATCB | ROHM |
Description: ROHM - AG052FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.022 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 78 шт В кошику од. на суму грн. |
| AG052FPS4FRATCB |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, Nch 100V 58A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET
MOSFETs Transistor, Nch 100V 58A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 193.47 грн |
| 10+ | 94.05 грн |
| 100+ | 71.63 грн |
| 500+ | 56.94 грн |
| 1000+ | 56.03 грн |
| 3000+ | 48.39 грн |
| AG052FPS4FRATCB |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG052FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.022 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: ROHM - AG052FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.022 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AG052FPS4FRATCB |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG052FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.022 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ROHM - AG052FPS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.022 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)