AG084FGD3HRBTL ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG084FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
Description: ROHM - AG084FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 158.36 грн |
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Технічний опис AG084FGD3HRBTL ROHM
Description: ROHM - AG084FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції AG084FGD3HRBTL за ціною від 158.36 грн до 309.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
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AG084FGD3HRBTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - AG084FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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