AG092FLD3HRBTL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 138.16 грн |
| 10+ | 84.90 грн |
| 50+ | 63.85 грн |
| 100+ | 53.55 грн |
| 500+ | 42.38 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AG092FLD3HRBTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - AG092FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 53W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm.
Інші пропозиції AG092FLD3HRBTL за ціною від 35.21 грн до 149.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AG092FLD3HRBTL | ROHM Semiconductor |
 MOSFETs MOSFETs, Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive |
на замовлення 2195 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AG092FLD3HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - AG092FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 53W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
AG092FLD3HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - AG092FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| AG092FLD3HRBTL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs MOSFETs, Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
MOSFETs MOSFETs, Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 149.30 грн |
| 10+ | 94.05 грн |
| 100+ | 55.13 грн |
| 500+ | 43.54 грн |
| 1000+ | 39.83 грн |
| 2500+ | 35.82 грн |
| 5000+ | 35.21 грн |
| AG092FLD3HRBTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG092FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
Description: ROHM - AG092FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 53W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AG092FLD3HRBTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG092FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ROHM - AG092FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)