AG145FLS4FRATCB Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 85.69 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AG145FLS4FRATCB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - AG145FLS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm.
Інші пропозиції AG145FLS4FRATCB за ціною від 87.84 грн до 258.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AG145FLS4FRATCB | Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 60V 120A, HPLF5060T5LSAH, PO |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
AG145FLS4FRATCB | ROHM |
Description: ROHM - AG145FLS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| AG145FLS4FRATCB |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 120A, HPLF5060T5LSAH, PO
Description: NCH 60V 120A, HPLF5060T5LSAH, PO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 258.96 грн |
| 10+ | 163.17 грн |
| 50+ | 126.04 грн |
| 100+ | 107.06 грн |
| 500+ | 87.84 грн |
| AG145FLS4FRATCB |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG145FLS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
Description: ROHM - AG145FLS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)