AG185FGD3HRBTL ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 103.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AG185FGD3HRBTL ROHM
Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції AG185FGD3HRBTL за ціною від 54.09 грн до 222.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AG185FGD3HRBTL | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AG185FGD3HRBTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AG185FGD3HRBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| AG185FGD3HRBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |