Технічний опис AG185FGD3HRBTL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції AG185FGD3HRBTL за ціною від 230.07 грн до 230.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AG185FGD3HRBTL | ROHM |
 Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
AG185FGD3HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| AG185FGD3HRBTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| AG185FGD3HRBTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 65 шт В кошику од. на суму грн. |
| AG185FGD3HRBTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AG185FGD3HRBTL |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AG185FGD3HRBTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 62+ | 230.07 грн |
| AG185FGD3HRBTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)