Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > AG185FGD3HRBTL
AG185FGD3HRBTL

AG185FGD3HRBTL ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+218.09 грн
10+106.19 грн
100+83.33 грн
500+67.12 грн
1000+64.49 грн
2500+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AG185FGD3HRBTL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 96W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm.

Інші пропозиції AG185FGD3HRBTL за ціною від 226.73 грн до 226.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AG185FGD3HRBTL AG185FGD3HRBTL Rohm Semiconductor ag185fgd3hrbtle.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG185FGD3HRBTL AG185FGD3HRBTL Rohm Semiconductor ag185fgd3hrbtle.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+226.73 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG185FGD3HRBTL AG185FGD3HRBTL ROHM ag185fgd3hrbtl-e.pdf Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AG185FGD3HRBTL AG185FGD3HRBTL Rohm Semiconductor ag185fgd3hrbtle.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG185FGD3HRBTL AG185FGD3HRBTL ROHM ag185fgd3hrbtl-e.pdf Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG185FGD3HRBTL ag185fgd3hrbtle.pdf
AG185FGD3HRBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+226.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG185FGD3HRBTL ag185fgd3hrbtle.pdf
AG185FGD3HRBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
65+226.73 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG185FGD3HRBTL ag185fgd3hrbtl-e.pdf
AG185FGD3HRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AG185FGD3HRBTL ag185fgd3hrbtle.pdf
AG185FGD3HRBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG185FGD3HRBTL ag185fgd3hrbtl-e.pdf
AG185FGD3HRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG185FGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.