Продукція > ROHM > AG191FLD3HRBTL
AG191FLD3HRBTL

AG191FLD3HRBTL ROHM

ag191fld3hrbtl-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG191FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+79.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AG191FLD3HRBTL ROHM

Description: ROHM - AG191FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 76W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції AG191FLD3HRBTL за ціною від 79.08 грн до 180.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AG191FLD3HRBTL AG191FLD3HRBTL ROHM ag191fld3hrbtl-e.pdf Description: ROHM - AG191FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.01 грн
10+114.92 грн
100+79.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG191FLD3HRBTL AG191FLD3HRBTL ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AG191FLD3HRBTL ag191fld3hrbtl-e.pdf
AG191FLD3HRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG191FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+180.01 грн
10+114.92 грн
100+79.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG191FLD3HRBTL
AG191FLD3HRBTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.