AG191FLD3HRBTL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 173.26 грн |
| 10+ | 106.89 грн |
| 50+ | 81.09 грн |
| 100+ | 68.32 грн |
| 500+ | 54.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AG191FLD3HRBTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - AG191FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 76W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm.
Інші пропозиції AG191FLD3HRBTL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AG191FLD3HRBTL | ROHM Semiconductor |
 MOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
AG191FLD3HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - AG191FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 76W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| AG191FLD3HRBTL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
MOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AG191FLD3HRBTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG191FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
Description: ROHM - AG191FLD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)