AG194FPD3HRBTL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 284.66 грн |
| 10+ | 179.82 грн |
| 50+ | 139.15 грн |
| 100+ | 118.31 грн |
| 500+ | 98.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AG194FPD3HRBTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - AG194FPD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 142W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm.
Інші пропозиції AG194FPD3HRBTL за ціною від 161.24 грн до 252.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AG194FPD3HRBTL | ROHM Semiconductor |
 MOSFETs Nch 100V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive |
на замовлення 2452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
AG194FPD3HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - AG194FPD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 142W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| AG194FPD3HRBTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| AG194FPD3HRBTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AG194FPD3HRBTL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 100V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
MOSFETs Nch 100V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AG194FPD3HRBTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG194FPD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
Description: ROHM - AG194FPD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AG194FPD3HRBTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 69+ | 205.06 грн |
| 72+ | 197.25 грн |
| 100+ | 190.56 грн |
| AG194FPD3HRBTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 56+ | 252.70 грн |
| 88+ | 161.24 грн |