Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > AG194FPD3HRBTL
AG194FPD3HRBTL

AG194FPD3HRBTL ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 100V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AG194FPD3HRBTL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - AG194FPD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції AG194FPD3HRBTL за ціною від 161.24 грн до 252.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AG194FPD3HRBTL AG194FPD3HRBTL ROHM ag194fpd3hrbtl-e.pdf Description: ROHM - AG194FPD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AG194FPD3HRBTL Rohm Semiconductor ag194fpd3hrbtle.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+205.06 грн
72+197.25 грн
100+190.56 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG194FPD3HRBTL Rohm Semiconductor ag194fpd3hrbtle.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+252.70 грн
88+161.24 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG194FPD3HRBTL ag194fpd3hrbtl-e.pdf
AG194FPD3HRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG194FPD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AG194FPD3HRBTL ag194fpd3hrbtle.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
69+205.06 грн
72+197.25 грн
100+190.56 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG194FPD3HRBTL ag194fpd3hrbtle.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+252.70 грн
88+161.24 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.