AG501EGD3HRBTL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 86+ | 164.85 грн |
| 90+ | 158.57 грн |
| 100+ | 153.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AG501EGD3HRBTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - AG501EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції AG501EGD3HRBTL за ціною від 191.63 грн до 269.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AG501EGD3HRBTL | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
AG501EGD3HRBTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
AG501EGD3HRBTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs MOSFETs, Pch -40V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive |
на замовлення 2366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
 |
AG501EGD3HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - AG501EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
|
AG501EGD3HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - AG501EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| AG501EGD3HRBTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 269.82 грн |
| 10+ | 191.63 грн |
| AG501EGD3HRBTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 53+ | 269.82 грн |
| 74+ | 191.63 грн |
| AG501EGD3HRBTL |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs MOSFETs, Pch -40V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
MOSFETs MOSFETs, Pch -40V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AG501EGD3HRBTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG501EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: ROHM - AG501EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AG501EGD3HRBTL |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG501EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ROHM - AG501EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)