Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > AG501EGD3HRBTL
AG501EGD3HRBTL

AG501EGD3HRBTL Rohm Semiconductor

ag501egd3hrbtle.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
86+170.72 грн
90+164.22 грн
100+158.64 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 86 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AG501EGD3HRBTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - AG501EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 142W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm.

Інші пропозиції AG501EGD3HRBTL за ціною від 82.76 грн до 279.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AG501EGD3HRBTL AG501EGD3HRBTL ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor, MOSFETs, Pch -40V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+278.25 грн
10+138.43 грн
100+108.34 грн
500+88.78 грн
1000+88.03 грн
2500+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG501EGD3HRBTL AG501EGD3HRBTL Rohm Semiconductor ag501egd3hrbtle.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.44 грн
10+198.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG501EGD3HRBTL AG501EGD3HRBTL Rohm Semiconductor ag501egd3hrbtle.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+279.44 грн
74+198.46 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG501EGD3HRBTL AG501EGD3HRBTL ROHM Description: ROHM - AG501EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AG501EGD3HRBTL
AG501EGD3HRBTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFETs, Pch -40V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.25 грн
10+138.43 грн
100+108.34 грн
500+88.78 грн
1000+88.03 грн
2500+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG501EGD3HRBTL ag501egd3hrbtle.pdf
AG501EGD3HRBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+279.44 грн
10+198.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG501EGD3HRBTL ag501egd3hrbtle.pdf
AG501EGD3HRBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+279.44 грн
74+198.46 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG501EGD3HRBTL
AG501EGD3HRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG501EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 4900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.