AG502EGD3HRBTL ROHM Semiconductor
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 174.38 грн |
| 10+ | 109.38 грн |
| 100+ | 66.20 грн |
| 500+ | 55.94 грн |
| 1000+ | 47.56 грн |
| 2500+ | 40.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AG502EGD3HRBTL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - AG502EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 77W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції AG502EGD3HRBTL за ціною від 43.54 грн до 186.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AG502EGD3HRBTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - AG502EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 77W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AG502EGD3HRBTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - AG502EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 77W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| AG502EGD3HRBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 40V 68A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| AG502EGD3HRBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 68A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |