Технічний опис AG502EGD3HRBTL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - AG502EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 77W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції AG502EGD3HRBTL за ціною від 49.75 грн до 164.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AG502EGD3HRBTL | ROHM |
 Description: ROHM - AG502EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 77W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
AG502EGD3HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - AG502EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 77W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 77 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AG502EGD3HRBTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 68A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| AG502EGD3HRBTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 68A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. |
| AG502EGD3HRBTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG502EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: ROHM - AG502EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AG502EGD3HRBTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG502EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
Description: ROHM - AG502EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AG502EGD3HRBTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 68A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 68A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 87+ | 164.06 грн |
| 177+ | 80.34 грн |
| 200+ | 73.17 грн |
| 1000+ | 57.46 грн |
| 2000+ | 49.75 грн |
| AG502EGD3HRBTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 68A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 68A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)