AG502EGD3HRBTL

AG502EGD3HRBTL ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -40V -68A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 1972 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.73 грн
10+109.61 грн
100+66.34 грн
500+56.05 грн
1000+47.65 грн
2500+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AG502EGD3HRBTL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - AG502EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 77W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції AG502EGD3HRBTL за ціною від 119.65 грн до 186.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AG502EGD3HRBTL AG502EGD3HRBTL Виробник : ROHM Description: ROHM - AG502EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+186.68 грн
10+119.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AG502EGD3HRBTL AG502EGD3HRBTL Виробник : ROHM Description: ROHM - AG502EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.