AG502ELD3HRBTL Rohm Semiconductor
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 84+ | 148.41 грн |
| 171+ | 72.79 грн |
| 200+ | 66.33 грн |
| 1000+ | 52.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AG502ELD3HRBTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - AG502ELD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 77W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції AG502ELD3HRBTL за ціною від 42.93 грн до 197.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AG502ELD3HRBTL | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -60V -48A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive |
на замовлення 2119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AG502ELD3HRBTL | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - AG502ELD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 77W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AG502ELD3HRBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
AG502ELD3HRBTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - AG502ELD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 77W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |