Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > AG502ELD3HRBTL
AG502ELD3HRBTL

AG502ELD3HRBTL Rohm Semiconductor

ag502eld3hrbtl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+170.28 грн
171+83.52 грн
200+76.10 грн
1000+59.72 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 84 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AG502ELD3HRBTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - AG502ELD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 77W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції AG502ELD3HRBTL за ціною від 45.08 грн до 177.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AG502ELD3HRBTL AG502ELD3HRBTL ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor, Pch -60V -48A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+177.01 грн
10+85.13 грн
100+66.18 грн
500+52.85 грн
1000+51.38 грн
2500+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG502ELD3HRBTL AG502ELD3HRBTL ROHM 4461447.pdf Description: ROHM - AG502ELD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AG502ELD3HRBTL AG502ELD3HRBTL Rohm Semiconductor ag502eld3hrbtl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG502ELD3HRBTL AG502ELD3HRBTL ROHM 4461447.pdf Description: ROHM - AG502ELD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG502ELD3HRBTL
AG502ELD3HRBTL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, Pch -60V -48A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.01 грн
10+85.13 грн
100+66.18 грн
500+52.85 грн
1000+51.38 грн
2500+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG502ELD3HRBTL 4461447.pdf
AG502ELD3HRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG502ELD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AG502ELD3HRBTL ag502eld3hrbtl-e.pdf
AG502ELD3HRBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG502ELD3HRBTL 4461447.pdf
AG502ELD3HRBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG502ELD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.