AG502ELD3HRBTL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 84+ | 168.78 грн |
| 171+ | 82.79 грн |
| 200+ | 75.43 грн |
| 1000+ | 59.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AG502ELD3HRBTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - AG502ELD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 77W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції AG502ELD3HRBTL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AG502ELD3HRBTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -60V -48A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive |
на замовлення 2119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
AG502ELD3HRBTL | ROHM |
 Description: ROHM - AG502ELD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 77W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
AG502ELD3HRBTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 73 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
AG502ELD3HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - AG502ELD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 77W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. |
| AG502ELD3HRBTL |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -60V -48A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
MOSFETs Pch -60V -48A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AG502ELD3HRBTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG502ELD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: ROHM - AG502ELD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AG502ELD3HRBTL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AG502ELD3HRBTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG502ELD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
Description: ROHM - AG502ELD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 48 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)