на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 80.26 грн |
| 10+ | 49.50 грн |
| 100+ | 35.73 грн |
| 2500+ | 30.32 грн |
| 25000+ | 30.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AG508EGD3HRBTL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - AG508EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції AG508EGD3HRBTL за ціною від 42.34 грн до 124.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AG508EGD3HRBTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - AG508EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AG508EGD3HRBTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - AG508EGD3HRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
AG508EGD3HRBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
AG508EGD3HRBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |