Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > AG533EES4FRATCB
AG533EES4FRATCB

AG533EES4FRATCB Rohm Semiconductor

ag533ees4fratcb-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -35A, HPLF5060T5LSAH, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AG533EES4FRATCB Rohm Semiconductor

Description: PCH -30V -35A, HPLF5060T5LSAH, P, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AG533EES4FRATCB за ціною від 35.35 грн до 151.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AG533EES4FRATCB AG533EES4FRATCB Виробник : Rohm Semiconductor ag533ees4fratcb-e.pdf Description: PCH -30V -35A, HPLF5060T5LSAH, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.22 грн
10+87.25 грн
100+58.85 грн
500+43.80 грн
1000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AG533EES4FRATCB AG533EES4FRATCB Виробник : ROHM Semiconductor ag533ees4fratcb-e.pdf MOSFETs MOSFETs, Pch -30V -35A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.55 грн
10+95.06 грн
100+56.29 грн
500+44.64 грн
1000+40.78 грн
3000+36.06 грн
6000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AG533EES4FRATCB AG533EES4FRATCB Виробник : Rohm Semiconductor ag533ees4fratcb-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 35A 5-Pin(4+Tab) HPLF Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AG533EES4FRATCB AG533EES4FRATCB Виробник : Rohm Semiconductor ag533ees4fratcb-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 35A 5-Pin(4+Tab) HPLF Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.