AG540EGS4FRATCB Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 76+ | 185.92 грн |
| 79+ | 178.83 грн |
| 100+ | 172.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AG540EGS4FRATCB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - AG540EGS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 4600 µohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції AG540EGS4FRATCB за ціною від 81.92 грн до 266.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AG540EGS4FRATCB | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: PCH -40V -120A, HPLF5060T5LSAH,Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 120A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
AG540EGS4FRATCB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - AG540EGS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 4600 µohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
AG540EGS4FRATCB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 5-Pin(4+Tab) HPLF Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
AG540EGS4FRATCB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -40V -120A, HPLF5060T5LSAH, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 120A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
AG540EGS4FRATCB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs MOSFETs, Pch -40V -120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive |
товару немає в наявності |