AG540EGS4FRATCB Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 76+ | 188.86 грн |
| 79+ | 181.66 грн |
| 100+ | 175.50 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
76 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AG540EGS4FRATCB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - AG540EGS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 4600 µohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції AG540EGS4FRATCB за ціною від 86.46 грн до 258.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AG540EGS4FRATCB | Rohm Semiconductor |
 Description: PCH -40V -120A, HPLF5060T5LSAH,Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 120A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
AG540EGS4FRATCB | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFETs, Pch -40V -120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive |
на замовлення 3428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
AG540EGS4FRATCB | ROHM |
Description: ROHM - AG540EGS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 4600 µohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AG540EGS4FRATCB | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; -40V; -120A; 150W Mounting: SMD Power dissipation: 150W Drain current: -120A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -40V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: -20...5V On-state resistance: 4.6mΩ |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| AG540EGS4FRATCB |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -120A, HPLF5060T5LSAH,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Description: PCH -40V -120A, HPLF5060T5LSAH,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 258.62 грн |
| 10+ | 162.51 грн |
| 50+ | 125.22 грн |
| 100+ | 106.23 грн |
| 500+ | 86.46 грн |
| AG540EGS4FRATCB |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFETs, Pch -40V -120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive
MOSFETs Transistor, MOSFETs, Pch -40V -120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 3428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AG540EGS4FRATCB |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - AG540EGS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 4600 µohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - AG540EGS4FRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 4600 µohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AG540EGS4FRATCB |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -40V; -120A; 150W
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Drain current: -120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: -20...5V
On-state resistance: 4.6mΩ
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -40V; -120A; 150W
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Drain current: -120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: -20...5V
On-state resistance: 4.6mΩ
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 136.92 грн |
| 50+ | 119.66 грн |