AG541EGS4FRATCB Rohm Semiconductor


ag541egs4fratcb-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 5-Pin(4+Tab) HPLF Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+160.06 грн
97+153.96 грн
100+148.74 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 93 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AG541EGS4FRATCB Rohm Semiconductor

Description: PCH -40V -120A, HPLF5060T5LSAH,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 120A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.3mA, Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AG541EGS4FRATCB за ціною від 69.96 грн до 248.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AG541EGS4FRATCB AG541EGS4FRATCB Rohm Semiconductor ag541egs4fratcb-e.pdf Description: PCH -40V -120A, HPLF5060T5LSAH,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.79 грн
10+144.50 грн
50+110.81 грн
100+93.80 грн
500+75.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG541EGS4FRATCB AG541EGS4FRATCB ROHM Semiconductor ag541egs4fratcb-e.pdf MOSFETs Transistor, MOSFETs, Pch -40V -120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+248.41 грн
10+121.56 грн
100+95.82 грн
500+76.81 грн
1000+75.89 грн
3000+69.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG541EGS4FRATCB ag541egs4fratcb-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -120A, HPLF5060T5LSAH,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: HPLF5060T5LSAH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.79 грн
10+144.50 грн
50+110.81 грн
100+93.80 грн
500+75.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AG541EGS4FRATCB ag541egs4fratcb-e.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFETs, Pch -40V -120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+248.41 грн
10+121.56 грн
100+95.82 грн
500+76.81 грн
1000+75.89 грн
3000+69.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.