AIDK08S65C5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE DIODES
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 248pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 461.07 грн |
| 10+ | 398.41 грн |
| 100+ | 326.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIDK08S65C5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIDK08S65C5ATMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263, Kapazitive Gesamtladung: 13nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC Gen V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції AIDK08S65C5ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AIDK08S65C5ATMA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC_DISCRETE |
на замовлення 717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
AIDK08S65C5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIDK08S65C5ATMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 Kapazitive Gesamtladung: 13nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| AIDK08S65C5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC_DISCRETE
SiC Schottky Diodes SIC_DISCRETE
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AIDK08S65C5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIDK08S65C5ATMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - AIDK08S65C5ATMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)