Продукція > INFINEON > AIDK08S65C5ATMA1
AIDK08S65C5ATMA1

AIDK08S65C5ATMA1 INFINEON

Infineon-AIDK08S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3d82a2f4b Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIDK08S65C5ATMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+315.26 грн
10+280.60 грн
100+236.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIDK08S65C5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - AIDK08S65C5ATMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263, Kapazitive Gesamtladung: 13nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC Gen V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції AIDK08S65C5ATMA1 за ціною від 226.59 грн до 476.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIDK08S65C5ATMA1 AIDK08S65C5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIDK08S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3d82a2f4b Description: DISCRETE DIODES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 248pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+476.69 грн
10+411.91 грн
100+337.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK08S65C5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIDK08S65C5-DataSheet-v03_00-EN-1827223.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC_DISCRETE
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+463.48 грн
10+411.17 грн
25+345.77 грн
100+294.27 грн
250+286.92 грн
500+251.60 грн
1000+226.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK08S65C5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDK08S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3d82a2f4b AIDK08S65C5ATMA1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK08S65C5ATMA1 AIDK08S65C5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIDK08S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3d82a2f4b Description: DISCRETE DIODES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 248pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.