Продукція > INFINEON > AIDK10S65C5ATMA1
AIDK10S65C5ATMA1

AIDK10S65C5ATMA1 INFINEON

3049624.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIDK10S65C5ATMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+178.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIDK10S65C5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - AIDK10S65C5ATMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263, Kapazitive Gesamtladung: 15nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції AIDK10S65C5ATMA1 за ціною від 156.96 грн до 396.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIDK10S65C5ATMA1 AIDK10S65C5ATMA1 Виробник : INFINEON 3049624.pdf Description: INFINEON - AIDK10S65C5ATMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+186.23 грн
10+182.85 грн
100+178.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK10S65C5ATMA1 AIDK10S65C5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIDK10S65C5-DataSheet-v03_00-EN-1827242.pdf SiC Schottky Diodes SIC_DISCRETE
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+396.17 грн
10+288.11 грн
100+187.90 грн
500+178.09 грн
1000+166.77 грн
2000+156.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK10S65C5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDK10S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e0ec2f4e Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 53W
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 33A
Leakage current: 12µA
Power dissipation: 53W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-2
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK10S65C5ATMA1 AIDK10S65C5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIDK10S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e0ec2f4e Description: DISCRETE DIODES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 303pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK10S65C5ATMA1 AIDK10S65C5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIDK10S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e0ec2f4e Description: DISCRETE DIODES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 303pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK10S65C5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDK10S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e0ec2f4e Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 10A; 53W
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 33A
Leakage current: 12µA
Power dissipation: 53W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.