Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIDK12S65C5ATMA1
AIDK12S65C5ATMA1

AIDK12S65C5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-aidk12s65c5-datasheet-v03_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+265.65 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 55 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIDK12S65C5ATMA1 Infineon Technologies

Description: DISCRETE DIODES, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 363pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: PG-TO263-2, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AIDK12S65C5ATMA1 за ціною від 190.62 грн до 411.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AIDK12S65C5ATMA1 AIDK12S65C5ATMA1 Infineon Technologies infineon-aidk12s65c5-datasheet-v03_00-en.pdf Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.25 грн
10+283.71 грн
25+279.17 грн
100+264.92 грн
250+241.24 грн
500+227.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK12S65C5ATMA1 AIDK12S65C5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIDK12S65C5-DataSheet-v03_00-EN-1827231.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC_DISCRETE
на замовлення 932 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+336.60 грн
10+296.24 грн
100+227.42 грн
250+225.95 грн
500+210.50 грн
1000+190.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK12S65C5ATMA1 AIDK12S65C5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIDK12S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e9892f51 Description: DISCRETE DIODES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 363pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.41 грн
10+332.56 грн
100+269.06 грн
500+224.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK12S65C5ATMA1 infineon-aidk12s65c5-datasheet-v03_00-en.pdf
AIDK12S65C5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+288.25 грн
10+283.71 грн
25+279.17 грн
100+264.92 грн
250+241.24 грн
500+227.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK12S65C5ATMA1 Infineon-AIDK12S65C5-DataSheet-v03_00-EN-1827231.pdf
AIDK12S65C5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers SIC_DISCRETE
на замовлення 932 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+336.60 грн
10+296.24 грн
100+227.42 грн
250+225.95 грн
500+210.50 грн
1000+190.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK12S65C5ATMA1 Infineon-AIDK12S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e9892f51
AIDK12S65C5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE DIODES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 363pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+411.41 грн
10+332.56 грн
100+269.06 грн
500+224.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.