Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIDK12S65C5ATMA1
AIDK12S65C5ATMA1

AIDK12S65C5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-aidk12s65c5-datasheet-v03_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+222.07 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIDK12S65C5ATMA1 Infineon Technologies

Description: DISCRETE DIODES, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 363pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: PG-TO263-2, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AIDK12S65C5ATMA1 за ціною від 195.84 грн до 433.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIDK12S65C5ATMA1 AIDK12S65C5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-aidk12s65c5-datasheet-v03_00-en.pdf Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+258.18 грн
10+254.11 грн
25+250.04 грн
100+237.27 грн
250+216.07 грн
500+203.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK12S65C5ATMA1 AIDK12S65C5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIDK12S65C5-DataSheet-v03_00-EN-1827231.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC_DISCRETE
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+345.81 грн
10+304.35 грн
100+233.65 грн
250+232.14 грн
500+216.26 грн
1000+195.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK12S65C5ATMA1 AIDK12S65C5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIDK12S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e9892f51 Description: DISCRETE DIODES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 363pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+433.51 грн
10+350.42 грн
100+283.51 грн
500+236.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK12S65C5ATMA1 AIDK12S65C5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-aidk12s65c5-datasheet-v03_00-en.pdf Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK12S65C5ATMA1 AIDK12S65C5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-aidk12s65c5-datasheet-v03_00-en.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK12S65C5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDK12S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e9892f51 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 12A; 62W
Power dissipation: 62W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Leakage current: 14µA
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK12S65C5ATMA1 AIDK12S65C5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIDK12S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e9892f51 Description: DISCRETE DIODES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 363pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK12S65C5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDK12S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e9892f51 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO263-2; SiC; SMD; 650V; 12A; 62W
Power dissipation: 62W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Leakage current: 14µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.