AIDW10S65C5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 351.91 грн |
| 10+ | 312.28 грн |
| 25+ | 256.87 грн |
| 100+ | 222.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIDW10S65C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 303pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q100/101.
Інші пропозиції AIDW10S65C5XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| AIDW10S65C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 AIDW10S65C5XKSA1 THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |
||
 |
AIDW10S65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 303pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q100/101 |
товару немає в наявності |