AIDW20S65C5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 584pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 671.48 грн |
| 10+ | 584.11 грн |
| 100+ | 483.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIDW20S65C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 584pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Last Time Buy, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V.
Інші пропозиції AIDW20S65C5XKSA1 за ціною від 465.75 грн до 727.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AIDW20S65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC_DISCRETE |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| AIDW20S65C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-3; 112W Case: TO247-3 Mounting: THT Max. forward voltage: 1.7V Application: automotive industry Load current: 20A Max. forward impulse current: 103A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 112W Max. off-state voltage: 650V Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC |
товару немає в наявності |