Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIGB50N65F5ATMA1
AIGB50N65F5ATMA1

AIGB50N65F5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_AIGB50N65F5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIGB50N65F5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AIGB50N65F5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V, Verlustleistung Pd: 305W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 305W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 80A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції AIGB50N65F5ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AIGB50N65F5ATMA1 AIGB50N65F5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65F5ATMA1 AIGB50N65F5ATMA1 INFINEON Description: INFINEON - AIGB50N65F5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65F5ATMA1 AIGB50N65F5ATMA1 INFINEON 3159542.pdf Description: INFINEON - AIGB50N65F5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 305W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65F5ATMA1
AIGB50N65F5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65F5ATMA1
AIGB50N65F5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIGB50N65F5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB50N65F5ATMA1 3159542.pdf
AIGB50N65F5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIGB50N65F5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 305W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.