AIGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 178.57 грн |
| 2000+ | 167.71 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; D2PAK, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 80A, Power dissipation: 305W, Case: D2PAK, Gate-emitter voltage: ±20V, Mounting: SMD.
Інші пропозиції AIGB50N65H5ATMA1 за ціною від 181.74 грн до 445.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AIGB50N65H5ATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2 |
на замовлення 2244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AIGB50N65H5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 445.95 грн |
| 10+ | 287.77 грн |
| 100+ | 207.45 грн |
| 500+ | 181.74 грн |